VI Systems lizensiert exklusiv ein US-Patent

VI Systems erwirbt eine exklusive Lizenz für die Nutzung eines US-Patents, das sich auf den Einsatz in der siliziumbasierten Photonik bezieht. Der Patentschutz betrifft die Herstellung von oberflächenemittierenden Lasern und Leuchtdioden in sämtlichen Materialsystemen mit Hilfe einer Schicht für dielektrische Kavitäten.

VI Systems, Berlin, ein führendes Unternehmen für ultraschnelle Komponenten für die Datenkommunikation, gab heute bekannt, dass eine exklusive Lizenz an dem US-Patent 8.472.496 ›Optoelectronic Device and Method of Making Same‹ erworben wurde. Die Anwendungsgebiete sind die optischen Datenkommunikation, die Sensorik und laserbasierten Zielmarkierungssysteme, die auf oberflächenemittierenden Lasern und Leuchtdioden basieren.

Das Patent betrifft die Herstellung der oberflächenemittierenden Laser und Leuchtdioden in sämtlichen Materialsystem mit Hilfe einer Lage für dielektrische Kavitäten, in der mehrschichtig, dielektrische verteilte Bragg-Reflektoren (DBR) auf beiden Seiten der dielektrischen Kavität angeordnet werden. Das Verstärkungsmedium wird auf die gesamte dielektrische Struktur angedockt.

Das Konzept ermöglicht das Einschließen und die Verstärkung von Licht, auch wenn die Kavitäten Schicht selber passiv bleibt. Dieser Ansatz eliminiert die Notwendigkeit von gitterangepassten Halbleiter DBRs mit einer sehr hohen Leitfähigkeit und ermöglicht eine einfache Integration der Bauteile in photonischen Kristallen, Gitter, Subwellenlängenbereich und Wellenleitern. Es bietet die Möglichkeit, neben einer hohen Temperaturstabilität der Wellenlängen für ungekühlte DWDM (Dense Wavelength Division Multiplexing) Anwendungen zu erzielen, weitere zusätzliche Vorteile.